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1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
US6M11
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Silicon P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TUMT6
Features
1) Nch MOSFET and Pch MOSFET are put in TUMT6 package.
2) Low on-resistance.
3) Low voltage drive (1.5V drive).
4) Built-in G-S Protection Diode.
Abbreviated symbol : M11
Applications
Inner circuit
Switching
(6)
(5)
(4)
? 1
Packaging specifications
Package
Code
Type
Basic ordering unit (pieces)
US6M11
Taping
TR
3000
? 2
? 1
? 2
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
(3) Tr2 (Pch) Drain
(1)
(2)
(3)
(4) Tr2 (Pch) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Tr2 (Pch) Gate
(6) Tr1 (Nch) Drain
Parameter
Symbol
Limits
Tr1 : Nchannel Tr2 : Pchannel
Unit
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
20
± 10
? 12
± 10
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.5
± 6
0.5
6
± 1.3
± 5.2
? 0.5
? 5.2
A
A
A
A
Power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
1.0
0.7
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board.
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
125
179
Unit
° C/W / TOTAL
° C/W / ELEMENT
? Mounted on a ceramic board
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/7
2009.07 - Rev.A
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